Research Note · 통합판

DRAM 수급 × 삼성전자·SK하이닉스 메모리 수익모델

장기 수급 실측(1973–2030)과 양사 수익모델을 한 편으로 합친 통합판. ① 54개년 비트 출하량과 산업 WPM·비트그로스 분해, ② 2026~2030 전망 스펙트럼, ③ zephyr 수급모델 검토, ④ 그 수급이 만드는 삼성전자·SK하이닉스 분기·연간 손익까지 — 물량에서 실적으로 이어지는 한 줄기로 정리했다.

1973 → 2030E · 58개년 수익모델 2024~2027E · 분기 1Q25~4Q26E 원본 2건 병합 · 2026-07-19

핵심

공급 성장의 엔진이 2027년까지는 생산성(노드 전환), 2028년부터는 설비확장(신규 팹)으로 교대한다. HBM은 비트로는 9~13%지만 웨이퍼를 비트당 3~4배 소모해 생산성 항을 잠식하는 것이 이번 쇼티지의 수식이고, 2028년 신규 팹 동시 램프가 과잉 반전 리스크의 수식이다.

HBM 포함 관계 — 표의 DRAM 비트량은 HBM을 포함한 산업 전체다. HBM 비트: 2023년 0.39 EB(2%) → 2024년 1.53(+287%, 5%) → 2026년 3.75(9%) → 2027년 6.35 EB(13%, TrendForce 정합).
부족의 지속 — 컨센서스는 2027년까지 부족(골드만 −5.9%, SemiAnalysis −10%대 초중반), 2028년 완화(−3.9%). 2029~30은 곽노정 SKH CEO의 "2030 이후에도 수요>공급"과 2028 동시 램프발 과잉 시나리오가 대립.
WPM으로 본 공급 — 웨이퍼는 2024말 180만장/월 → 2026말 ~205만(+6%/년)뿐. 증설분(2027 +11%, 2028 +17%)이 도착하기 전까지 공급은 노드 전환(1c: 웨이퍼당 비트 +70%)에 의존.

89.4조원

삼성전자 2Q26 잠정 영업이익 (성과급 충당 ~14조 차감 후)

+93~98%

1Q26 범용 DRAM 계약가 QoQ (TrendForce 실측)

역전

일반 DRAM OPM 81~86% > HBM ~50% (2026E, 사이클의 핵심 특징)

-28.7 EB

zephyr 2030 수급 갭 (수요 157.5 vs 공급 128.8 EB)

세계 DRAM 연간 비트 출하량, 1973–2030E (로그 스케일)

GB → EB · 2019년 이후는 공급 기준 · 점선 = 전망(2026~30)

57년간 연평균 +55%. 계단식 감속: 1970~80년대 연 2~3배 → 1990년대 +70~80% → 2000년대 +50~60% → 2010년대 +20~30% → 2020년대 +15~23%.

1973–2018 — 단일 시리즈 (생산 ≈ 출하 ≈ 소비)

신뢰도: A 실측 · B 실측 성장률/CAGR 연쇄 · C 보간·추정. 이 구간에서 HBM은 존재하지 않거나(2015년 첫 제품) 비트 기준 0.5% 미만이라 별도 병기하지 않았다.

연도	비트량	EB 환산	YoY	근거	주요 사건
1973	1.0 GB	1.03e-09	—	A ICE 실측
1974	2.7 GB	2.69e-09	+162%	A ICE 실측	1차 오일쇼크 침체
1975	4.0 GB	3.96e-09	+47%	A ICE 실측
1976	14.0 GB	1.40e-08	+253%	A ICE 실측
1977	31.0 GB	3.10e-08	+121%	A ICE 실측
1978	69.8 GB	6.97e-08	+125%	A ICE 실측
1979	187.5 GB	1.88e-07	+169%	A ICE 실측	2차 오일쇼크
1980	400.0 GB	4.00e-07	+113%	A ICE 실측
1981	575.0 GB	5.75e-07	+44%	A ICE 실측	불황·성장 둔화
1982	1.3 TB	1.31e-06	+128%	A ICE 실측
1983	3.2 TB	3.23e-06	+146%	A ICE 실측
1984	8.3 TB	8.27e-06	+157%	A ICE 실측	64K 가격 폭락 개시
1985	12.0 TB	1.20e-05	+45%	A ICE 실측	미·일 반도체 분쟁, 인텔 D램 철수
1986	20.7 TB	2.07e-05	+72%	A ICE 실측
1987	29.4 TB	2.94e-05	+42%	A ICE 실측
1988	53.5 TB	5.35e-05	+82%	A ICE 실측	호황
1989	88.4 TB	8.84e-05	+65%	A ICE 실측
1990	126.4 TB	1.26e-04	+43%	A ICE 실측
1991	193.8 TB	1.94e-04	+53%	A ICE 실측	걸프전·불황
1992	358.0 TB	3.58e-04	+85%	A ICE 실측	삼성전자 D램 1위 등극
1993	530.4 TB	5.30e-04	+48%	A ICE 실측
1994	942.0 TB	9.42e-04	+78%	A ICE 실측
1995	1.6 PB	0.002	+73%	A ICE 실측	PC 붐 정점
1996	2.9 PB	0.003	+80%	A ICE 실측	공급과잉 대폭락 개시
1997	5.2 PB	0.005	+78%	B WSTS CAGR 보간
1998	9.3 PB	0.009	+79%	B WSTS CAGR 보간	아시아 금융위기·가격 붕괴
1999	16.8 PB	0.017	+81%	B WSTS CAGR 보간
2000	30.1 PB	0.030	+79%	B WSTS CAGR 보간	Y2K·닷컴 호황
2001	54.2 PB	0.054	+80%	B WSTS CAGR 보간	닷컴 붕괴 — 사상 최악 매출 감소
2002	88.3 PB	0.088	+63%	C 보간(최저 신뢰)
2003	144.0 PB	0.144	+63%	C 보간(최저 신뢰)
2004	234.7 PB	0.235	+63%	C 보간(최저 신뢰)
2005	382.6 PB	0.383	+63%	C 보간(최저 신뢰)	호황
2006	540.1 PB	0.540	+41%	C 보간(최저 신뢰)
2007	762.3 PB	0.762	+41%	C 보간(최저 신뢰)	치킨게임 개시(과잉 투자)
2008	1.1 EB	1.1	+41%	C 보간(최저 신뢰)	금융위기·가격 붕괴
2009	1.3 EB	1.3	+21%	B IC 성장률 역산	키몬다 파산 · 비트그로스 +21% 사상 최저
2010	1.9 EB	1.9	+47%	A iSuppli 실측
2011	2.9 EB	2.9	+51%	B IC +51%	공급과잉(재고 12.8주)
2012	3.7 EB	3.7	+28%	A iSuppli 실측 29.3B Gb	엘피다 파산 → 3강 재편
2013	4.7 EB	4.7	+26%	B IC +26%	SK하이닉스 우시 화재 → 공급 쇼크
2014	6.1 EB	6.1	+30%	C 추정 ~+30%
2015	7.5 EB	7.5	+24%	C IC 전망 +24%
2016	10.5 EB	10.5	+40%	B IC 실측 +40%	하반기 슈퍼사이클 개시
2017	12.6 EB	12.6	+20%	B IC 실측 +20%	쇼티지(재고 3~4주)
2018	14.3 EB	14.3	+13%	B IC 실측 +13%	상반기 호황 → 2H 과잉 전환

주의 — 2002~2008 구간은 연도별 공개 실측치가 없어 WSTS 전망 CAGR(+63%)과 2008년 역산값 사이를 보간한 것이다(신뢰도 C). 개별 연도 ±30%+ 오차 가능. 1997~2001은 WSTS 실측 CAGR(+79.9%) 기반.

2019–2030E — 공급 vs 수요 vs HBM (EB)

HBM은 총 DRAM 비트량에 포함되는 하위 집합이다(별도 가산 금지). HBM 절대치는 TrendForce FMS 2025 덱(2023~26)과 2027년 50.8B Gb 추정(Castellano, TrendForce 13% 정합)이며, 2028~30은 외삽. 신뢰도: B 실측 성장률 연쇄 · D 전망 컨센서스 · E 외삽(공개 정량치 없음).

연도	공급 EB (YoY)	수요 EB (YoY)	HBM EB (비중·YoY)	수급	상태
2019 B	16.7 (+17.0%)	16.4 (+15.0%)	<0.1	+1.7%p	과잉
2020 B	19.4 (+16.0%)	19.8 (+21.0%)	<0.1	-2.5%p	혼조 (1H 타이트/2H 완화)
2021 B	22.8 (+18.0%)	23.8 (+20.0%)	~0.1	-4.1%p	부족
2022 B	27.3 (+19.3%)	27.3 (+14.6%)	0.19 (0.7%)	-0.2%p	2H 과잉 전환
2023 B	31.1 (+14.1%)	29.6 (+8.3%)	0.39 (2%, +109%)	+5.2%p	과잉 (사상 최악, 재고 31주)
2024 B	36.1 (+16.0%)	34.6 (+17.0%)	1.53 (5%, +287%)	+4.3%p	재균형 (HBM 타이트)
2025 B	42.6 (+18.0%)	42.5 (+23.0%)	2.96 (8%, +94%)	+0.1%p	부족 전환 (재고 3.3주)
2026E D	52.4 (+23.0%)	57.4 (+35.0%)	3.75 (9%, +27%)	-8.8%p	부족 — 15년래 최악
2027E D	62.3 (+19.0%)	68.9 (+20.0%)	6.35 (13%, +69%)	-9.6%p	부족 정점 공방 (GS −5.9 vs SA −10%대)
2028E D	75.4 (+21.0%)	82.0 (+19.0%)	~8.6 (~14%, ~+35%)	-8.1%p	완화 시작 (GS −3.9%, 신규 팹 램프)
2029E E	89.0 (+18.0%)	94.3 (+15.0%)	~10.5 (~15%, ~+25%)	-5.7%p	논쟁 구간 (완화 vs 과잉 전환)
2030E E	103.2 (+16.0%)	108.5 (+15.0%)	~12.6 (~16%, ~+20%)	-4.9%p	SKH “수요>공급 지속” vs 베어 “과잉”

독립 앵커와의 대조 (v1과 동일 + 갱신)

2025 상반기 실측 17.7 EB(TechInsights) → 연간 38~40 EB 페이스 vs 표 42.6 — 2019년 이후 ±10~15% 오차로 읽을 것. TrendForce 계열 절대치(2026 ~40-42 EB)는 표보다 ~20% 낮은 별도 기준.
2027~28 수급 갭은 하우스별로 갈린다: 골드만 −5.9%/−3.9% vs UBS 갭 17%p vs SemiAnalysis −10%대 초중반. 표의 −9.6%/−8.1%는 연쇄 계산의 결과로 그 사이에 위치.
2029~30 공급 +18%/+16%, 수요 +15%는 외삽(웨이퍼 +8~10% × 생산성 +6~7%, 마이크론 장기 수요 CAGR mid-teens) — 공개 정량 전망이 존재하지 않는 구간.

산업 WPM 시계열 — 2005년까지 소급 (v3)

단위: 천 장/월(K wpm). DRAM 단독 산업 전체치의 공개 기록은 2008년 2분기 피크(1,530K, DRAMeXchange)가 사실상 시작점이고, 1990~2004년은 Gartner/VLSI 유료 아카이브에만 존재해 공백이다. 2008년 값은 200mm+300mm 혼재 실장수라 300mm 환산 기준인 2013년 이후와 직접 잇는 것은 과대비교임을 유의(표에 명기). 기준(설치 vs 가동, 연말 vs 연평균)이 소스마다 달라 레벨보다 증감률이 신뢰할 수 있는 정보다.

시점	산업 WPM (K)	증감	근거·비고
2005	~850 (DRAM+NAND 합산) · DRAM ~650~700 추정	—	iSuppli/McKinsey — 300mm 전환 초기(비트의 49%가 300mm, 2005.4Q)
2008 2Q	1,530 (피크)	—	DRAMeXchange — DRAM 단독 사상 최대. 200+300mm 혼재 실장수(300mm 환산 시 더 낮음). 대만 530K
2009 1Q	~1,000	−32%	치킨게임 감산 — 대만 −50%, 키몬다 파산(1월)
2013 4Q	~1,050 (12" 환산)	—	우시 화재 감소분 60K = 5.7%에서 역산 (Digitimes) — 구조조정 5년간 순증 없음
2017말	삼성 390 (단독)	—	TrendForce — 업계 전체 비공개, 2018 증설 계획 +5~7%
2020.12	1,418	—	THE ELEC — 마이크론 타이완 125K = 8.8%
2021말	~1,500	+6%	TrendForce — 빅3 1,270 (삼성 555 · SKH 360 · MU 355)
2023	1,500 (감산 저점)	—	DRAMeXchange — 2022 피크 대비 감산·전환 손실 반영
2024	1,769~1,800	+18%	DRAMeXchange 1,769 / TrendForce FMS 1,800 — 감산 복원 + 신규
2025	1,934	+9%	DRAMeXchange = TrendForce FMS ~1,930 일치
2026E	~2,050	+6%	TrendForce FMS — TSV(HBM) 비중 23%
2027E	~2,270	+11%	SemiAnalysis 증설: 삼성+50·SKH+60·MU+90·CXMT+70
2028E	~2,660	+17%	SemiAnalysis: 삼성+110·SKH+90·MU+115·CXMT+80 — P5·ID1/2·Y1 램프
2030E	~3,000~3,500 (외삽)	+8~10%/년	SKH 단독 1,000K 목표+P5·용인·NY [SEMI ~2,000K로 보수적 — 기준差]

메이커별 연말 WPM (TrendForce FMS 실측, K wpm)

메이커	2024말	2025말	2026말E	2027~30 증설 계획
삼성전자	680 (TSV 120)	655 (TSV 150)	670 (TSV 150)	P4 200K(1c) → P5 2028 양산 · +110K(2028)
SK하이닉스	460 (TSV 120)	545 (TSV 150)	600 (TSV 200)	M15X 80K(2027) · 용인 Y1 2027.2 조기완공, 6개동×60K → 2030-31 1,000K
마이크론	305 (TSV 25)	340 (TSV 55)	360 (TSV 100)	ID1 2027.2H 첫 웨이퍼 · ID2 2028말 · NY ~2030 · +115K(2028)
CXMT	200	280 (SA 265)	300 (SA 350)	420K(2027, 글로벌 ~17%) → 500K(2028) · HBM 5→100K · 비트점유 9%(25)→12%(27)
난야 등	60	57	65 (TSV 1)	5A 45K (2026 완공) · 대만 DDR4 특수

괄호 TSV = HBM용 웨이퍼 배정. TSV 비중: 2024말 15% → 2025말 19% → 2026말 23% → 2027말 ~30%(TrendForce). 과거 스냅숏: 키몬다 퇴출(2009.1, 점유 10~15%, 인오테라 120K+리치먼드 39K), 엘피다+렉스칩 >200K(2012 파산), SKH 우시 화재 팹 ~130K(2013, 세계 DRAM의 >10%).

웨이퍼당 비트 — 생산성의 실측 앵커 (주력 노드·그로스 기준)

연도	주력 다이 · 구경	웨이퍼당 비트
1975	4Kb · 14.5mm² · 3"	~0.5 MB
1985	256Kb · 27mm² · 125mm	~12 MB
1990	1Mb · 50mm² · 150mm	~38 MB
1995	16Mb · 54mm² · 200mm	~0.97 GB
2001	128Mb · 50mm² · 200mm	~8.3 GB
2005	512Mb · 59mm² · 300mm	~64 GB
2008	1Gb · ~60mm² · 300mm	~125 GB
2013	4Gb · ~68mm² · 300mm	~440 GB
2016	8Gb(1x) · ~60mm²	~1.0 TB
2020	16Gb(1z) · 66mm²	~1.8 TB
2023	16Gb(1b) · 37mm²	~3.3 TB
2025	16Gb(1c) · +30%	~4.2 TB

다이 크기는 IC Knowledge(2004 아카이브)·TechInsights 실측, 유효면적률 85% 가정한 그로스 상한. 50년간 웨이퍼당 비트 ~800만 배 — 그러나 증가율은 1990년대 연 +55%에서 2023~25년 연 +3~14%로 붕괴했고, 이것이 SemiAnalysis "메모리 월"의 실체다(밀도 10년당 100배 → 최근 10년 2배).

비트그로스 분해 — 1975년까지 소급 (CAGR, %/년)

비트 공급 성장 ≈ 웨이퍼 투입 성장 × 웨이퍼당 비트 성장. 실측 WPM이 있는 2008년 이후는 잔차 = 생산성, 그 이전은 웨이퍼당 비트(이론)를 계산해 잔차 = 웨이퍼 투입으로 역산했다:

구간	비트 성장	웨이퍼 투입	웨이퍼당 비트	해석
1975~85	+123%	~+66% (잔차 추정)	~+57%	산업 초창기 — 팹 수 자체가 폭증. 구경 3"→100mm
1985~95	+63%	~+8% (잔차 추정)	~+55%	성장이 거의 전부 밀도(4배/3년) + 구경 125→200mm. 미세화 −14%/년
1995~2001	+79%	~+36% (잔차 추정)	~+43%	사상 최대 팹 건설 붐(95~96년 ~50개 착공) — 웨이퍼가 두 자릿수로 뛴 유일한 과거 구간 → 96~98 대폭락의 씨앗
2001~08	+53%	~+6~15% (05~08 +30%/년 붐 포함)	~+47%	300mm 전환(비트의 19%→49%, 04→05) + 미세화. 2008 피크 1,530K
2008~13	+34%	−7.3% (실측 1,530→1,050K)	~+41% (잔차)	치킨게임 구조조정 — 웨이퍼를 줄이면서도 비트 +34%/년. 순수 생산성 시대
2013~20	+23%	+4.4% (실측 1,050→1,418K)	+18% (잔차)	2x→1z 미세화(노드당 +20~40%). 3강 과점의 절제된 증설
2020~23	+17%	+1.9% (실측 1,418→1,500K)	+15% (잔차)	1a/1b 전환 + 22~23 감산. 여전히 생산성 주도
2023~25	+17%	+13.5% (실측 1,500→1,934K)	+3.4% (잔차)	40년 만의 역전 — HBM(비트당 웨이퍼 3~4배)이 생산성 항을 잠식, 성장이 웨이퍼로
2026~28E	+19~23%	+6→+11→+17%	+16→+7→+3%	1c 마지막 생산성 랠리(2026) 후 웨이퍼 시대 — P5·ID1/2·용인 동시 램프

구조적 함의 (v3 확장) — ① 50년 역사에서 웨이퍼 투입이 성장을 주도한 구간은 초창기(1975~85), 팹 건설 붐(1995~2001), 그리고 지금(2023~) 세 번뿐이고, 앞의 두 번은 각각 1985~86년, 1996~98년의 대폭락으로 끝났다. ② 반대로 2008~13년은 웨이퍼를 7%/년씩 줄이면서도 비트 +34%/년을 낸 순수 생산성 시대 — 이것이 3강 과점의 황금기를 만들었다. ③ 지금은 그 반대: 웨이퍼당 비트 성장이 +3%대로 붕괴(미세화 한계 + HBM 4배 강도)해 성장이 웨이퍼 증설로만 가능하다. 자본집약도가 구조적으로 상승했고, 공급 탄력성은 "노드 전환 6개월"이 아니라 "팹 건설 2년"의 시간축으로 느려졌다 — 쇼티지가 길어지는 이유이자, 2028년 동시 램프가 오면 과잉도 팹 단위로 커지는 이유다.

2026~2030 전망 스펙트럼 — 하우스별 대조

SemiAnalysis 원문, X 애널리스트(Jukanlosreve·Ray Wang·Fabricated Knowledge·Citrini·Irrational Analysis), 투자은행·리서치 하우스의 정량 전망을 병렬 배치. 부족률 = (공급−수요)/수요.

하우스	2026	2027	2028	2029~30 / 비고
골드만삭스 (2026.6)	부족률 −5.0% · 수요 +28%	−5.9% · 수요 +20% · HBM −6.0%, TAM $116B	−3.9% · 수요 +19%	최소 2028까지 공급부족
UBS	—	수요 +36.2% vs 공급 +19.3% (갭 17%p)	≥2Q28까지 부족	DRAM 가격 전망 2배 상향
SemiAnalysis	부족 한 자릿수 후반% · 가격 연내 2배+	부족 10%대 초중반으로 확대 · HBM4E 강도↑ · 서버+HBM>시장 50%	“potentially 2028까지 부족” · 실질 신규공급 도착	곽노정式 낙관 아닌 “쇼티지 맞지만 주가 −60% 가능” 경고
TrendForce	수요 +35% vs 공급 +23% · HBM 9%	HBM 13% · HBM 가격 “수 배” · 웨이퍼의 30% TSV	—	캐펙스 +14%는 비트 기여 미미(클린룸 제약)
Counterpoint/닛케이	—	수요의 ~60%만 충족 (필요 +12%/년 vs 실제 +7.5%)	~2028 안정화	—
마이크론 CEO	수요의 1/2~2/3만 충족	지속	2028 개선	FY27 캐펙스 >$40B
SK하이닉스 CEO (곽노정, 7/10)	—	사상 최악 부족	지속	2030 이후에도 수요>공급
IDC	공급 +16%	짧은 다운사이클 2027-28 가능	—	HBM4E/HBM5 전환이 범용 재쇼크
베어 시나리오	—	비HBM +1%가 2028 동시램프로 반전(DS투자증권)	P5+Y2+ID2+CXMT 500K 동시 가동 시 과잉	Irrational Analysis: HBM 7~10년내 −90% 소멸론 · Rubin SOCAMM 컷(랙당 DRAM −49%) = 수요 급하향 선례

SemiAnalysis 원문 요지 (검증 인용)

"DRAM은 2026년 한 자릿수 후반% 비트 부족, 2027년 10%대 초중반으로 확대 — 정상화가 아니라 악화" (CXMT 딥다이브, 2026.6.23, 페이월 이전 원문).
"HBM은 비트당 웨이퍼를 범용 DRAM의 ~3배 소모하며, HBM4 전환으로 ~4배, HBM4E에서 그 이상" · "1GW AI 컴퓨트에 DRAM 웨이퍼 ~17만 장 필요(3nm 로직은 5.5만 장)" (다이런 파텔, Dwarkesh 팟캐스트).
"DRAM 가격은 여기서 2~3배 더 오른다 … 진짜 신규 공급은 2028년에나 온다" · 단, "쇼티지 논지가 맞아도 메모리 주가는 −60% 가능" (파텔, Invest Like the Best).
메모리 = 2026년 하이퍼스케일러 캐펙스의 ~30%(2023~24년 8%에서 급등), 2027년 추가 상승 · 소비자 출하 10~15% 감소가 기본 시나리오(수요 파괴가 완충).
경계 신호: Rubin SOCAMM 사양 컷(랙당 DRAM −49%)처럼 랙당 메모리 수요는 급격히 하향 조정될 수 있다 — 2026.6월 MU −10% 촉발 사례.

X 애널리스트 하이라이트

Jukanlosreve(한국 셀사이드 중계): HBM 수요 성장 2026 +77% → 2027 +68% · 하이닉스 2H26 웨이퍼 620K · 삼성 P4 중심 +120K(HBM4) 단독 보도.
Ray Wang(SemiAnalysis, CNBC 7/13): "공급 개선은 빨라야 2027년 하반기".
Fabricated Knowledge: "HBM도 DRAM도 완판 — 사상 최강 사이클, 최소 6~12개월" · 단 12개월 너머 전망은 의도적 거부.
Citrini: DDR5 수익성이 HBM3e를 추월(2026.1Q 확인됨) → 공급 재배분이 범용 부족을 먼저 풀 수 있음.
Irrational Analysis(구조 베어): HBM은 7~10년 내 피크 대비 −90%, HBM→LPDDR 회귀 시 실효 공급 3배 — DRAM 주가 "언젠가 −70%" 경고.

05수급모델 검토

zephyr(@zephyr_z9) DRAM 수급 모델 — 구조와 검토

2026-07-13 X 아티클 "How to break the memory supercycle? Or is it even possible?" (Citrini Research). 공급을 웨이퍼 캐파 × 노드밀도 × 수율 (÷ HBM 트레이드 계수)로, 수요를 기기 대수 × 대당 탑재량으로 쌓아 2030년 수급을 추정한 바텀업 모델.

공급 사이드 (2030, 베이스 4.82M WPM)

노드/용도	밀도 Gb/mm²	WPM (K)	수율	공급 EB/년
D1c → HBM 전용	0.56	2,500	95% (÷4 HBM 계수)	37.5
D1d	0.70	600	85%	37.9
D1b	0.43	700	70%	23.4
D1a	0.32	870	~83%	24.7
D1c → 3D DRAM (CXMT)	0.56	150	60%	5.3
합계		4,820		128.8

업체별 캐파(2026→2030): 삼성 720K→1.4M · SKH 590K→1.18M · 마이크론 375K→780K · CXMT 350K→950K+ WPM. HBM 트레이드 계수: HBM3E 2.7x, HBM4E/5 4x.

수요 사이드 (2030)

세그먼트	가정	수요 EB/년
AI 가속기 — HBM4e	1,500만대 × ~1TB	15.0
AI 가속기 — HBM5	1,500만대 × ~1.5TB	22.5
에이전틱 CPU (GPU 1:1)	3,000만대 × ~2.5TB DDR6	75.0
클라우드/IaaS CPU	2,500만대 × ~1TB DDR6	25.0
컨슈머 (PC·모바일)	완만 성장	~20.0
합계		157.5

결론: 범용 DRAM 공급 91.3 vs 수요 120 EB → ~25% 부족 지속. 범용 $1.5~2.0/Gb · HBM $5~6/Gb 유지 시 2030 DRAM 시장 $2.6~3.3조.

검토 — 국내 증권사·실측 데이터와의 대조

항목	zephyr	국내 리포트/실측	평가
HBM 트레이드 계수	HBM3E 2.7x / HBM4 4x	SK증권 "3배+", 신한 "HBM3 3배·HBM4 4배 근접", 삼성증권 표 유도 3.2~4.5x	정합 — 다소 보수적(낙관)측
2026 웨이퍼 캐파	삼성 720K·SKH 590K·MU 375K	TrendForce 26년 평균 삼성 690K·SKH 590K / IBK 26년말 삼성 685K·SKH 540K·MU 300K	삼성·SKH 정합, MU는 상단
수요 비트그로스	~26% CAGR 상회 (2030 157.5EB 도달 경로)	iM 26년 +14.1% · 신한 +16.2% · TrendForce +24.7% · 마이크론 "low-to-mid 20s"	최상단 — 에이전틱 CPU 75EB(수요의 48%)가 단일 최대 가정
범용 DRAM 가격	$1.5~2.0/Gb 유지	본 모델 26년 삼성 $1.79 · 4Q26 $2.0 안팎, 미래에셋 4Q26 계약가 $2.1/Gb	이미 도달 — 2030까지 유지가 관건
중간연도(27~29) 경로	미제시	삼성증권: 공급이 수요선(22%) 돌파 = '28~29년 → 가격 하락 전환 2Q28	모델의 최대 공백 — 사이클 타이밍 판단 불가
공급 상방 리스크	중국 비제약 시 갭 -1.2EB로 축소	CXMT 26년 생산 B/G +45~50%, DDR5 수율 개선 중 (키움)	동의 — 중국이 사이클 붕괴의 유일 경로라는 결론은 과감

종합 평가: 공급 사이드(웨이퍼×밀도×수율×HBM 계수)는 국내 증권사·TrendForce 데이터와 놀랄 만큼 정합적이며 방법론적으로 견고하다. 반면 수요 사이드는 "에이전틱 CPU 3,000만대 × 2.5TB"(75EB, 총수요의 48%)라는 검증 불가능한 단일 가정에 크게 의존 — 이 항목을 절반으로 줄이면 2030 갭(-28.7EB)은 +8.8EB 흑자로 반전된다. 결론(공급부족 지속)의 방향은 국내 컨센서스와 일치하나, 부족의 크기는 수요 가정의 함수임을 유의. 중간연도 경로 부재로 '언제 꺾이는가'에는 답하지 못한다 — 국내에서는 키움(4Q26 가격 하락 전환) vs 삼성증권(2Q28) 논쟁 진행 중.

06수익모델 방법론

수익모델 방법론

파이프라인: 웨이퍼 투입(K장/월) × 웨이퍼당 비트(Gb/장) → 총 비트생산(EB) × 비트당 단가($/Gb) × 환율 → 매출(조원) − 영업비용 → 영업이익

DRAM 총계·NAND: 7월 최신 증권사 추정 블렌드 (삼성전자: 키움 7/8 잠정 반영·신한·메리츠·하나 / SK하이닉스: KB 7/15·신한·상상인·IBK·하나). 2025년 분기는 DART 확정실적 기반.
HBM 분리: 미래에셋 HBM 분해(출하 십억Gb·ASP $/Gb) 골격 + IBK 7월 갱신(SKH 26년 HBM 200억Gb, 그중 HBM4 60억Gb) + 신한 HBM 웨이퍼 캐파(TSV). 일반 DRAM = DRAM 총계 − HBM.
HBM OPM 가정: 25년 65% → 26년 50% → 27년 55% (iM증권 "1위 업체 HBM 마진 65%→40%대 중후반" + 2027 HBM4 재협상 "대폭 인상"(IBK) 반영). 이에 따라 일반 DRAM OPM이 역산됨.
웨이퍼: TrendForce 분기별 WPM(하나증권 전재), HBM 웨이퍼는 신한 추정 — 명판(TSV) 캐파 기준이라 램프 초기 분기(1Q25~)의 HBM 'Gb/장'이 이론치(HBM3E ~8.3천Gb)보다 낮게 표시됨(가동률·수율 램프 반영 효과). 환율: 증권사 블렌드(26년 평균 1,468원).
영업비용 = 매출 − 영업이익 (COGS+판관비 합산 개념). 비트당 원가 참고치: 삼성 DRAM $0.3→0.4/Gb, SKH $0.23→0.29/Gb (키움, 26E YoY +27~29% — 신규팹 초기비용·성과급 영향).

한계: ① HBM 매출·이익 분리는 회사 미공시로 추정치(±10~20% 오차 가능) ② 웨이퍼→비트 변환은 생산≈출하 가정(재고 변동 무시) ③ 2Q26 삼성 부문분해는 잠정실적 기반 증권사 추정 ④ 2027은 증권사 간 편차 큼(삼성 OP 414~580조) — 중앙값 지향 블렌드.

07삼성전자

삼성전자 — 메모리 수익모델

연간 (2024~2027E)

구분	지표	2024	2025	2026E	2027E
일반 DRAM	웨이퍼 투입 (K장/월)	494	499	510	580
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	16,802	18,069	20,425	20,115
	총 비트생산 (EB)	12.45	13.53	15.62	17.50
	비트당 단가 ($/Gb)	0.33	0.41	1.79	2.25
	매출 (조원)	44.8	63.4	328.6	451.9
	영업비용 (조원)	33.3	40.0	63.3	76.7
	영업이익 (조원)	11.5	23.4	265.3	375.2
	영업이익률 (%)	25.6	36.9	80.7	83.0
HBM	웨이퍼 투입 (K장/월)	120	150	180	220
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	3,542	2,611	5,556	6,439
	총 비트생산 (EB)	0.64	0.59	1.50	2.12
	비트당 단가 ($/Gb)	1.33	1.49	1.60	2.00
	매출 (조원)	9.2	10.0	28.2	48.8
	영업비용 (조원)	3.7	3.5	14.1	22.0
	영업이익 (조원)	5.5	6.5	14.1	26.8
	영업이익률 (%)	60.0	65.0	50.0	55.0
NAND	웨이퍼 투입 (K장/월)	473	415	348	360
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	53,823	63,153	88,602	101,852
	총 비트생산 (EB=십억GB)	305.50	314.50	370.00	440.00
	비트당 단가 ($/GB)	0.07	0.07	0.27	0.34
	매출 (조원)	30.5	30.9	144.1	215.6
	영업비용 (조원)	26.9	28.5	46.6	60.0
	영업이익 (조원)	3.6	2.4	97.5	155.6
	영업이익률 (%)	11.8	7.8	67.7	72.2
메모리 합계	매출 / 영업이익 (조원)	84 / 21	104 / 32	501 / 377	716 / 558

분기 (1Q25~4Q26E)

구분	지표	25.1Q	25.2Q	25.3Q	25.4Q	26.1Q	26.2QP	26.3QE	26.4QE
일반 DRAM	웨이퍼 투입 (K장/월)	505	497	500	492	475	495	525	545
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	15,578	17,371	19,467	19,986	20,702	21,077	20,762	20,306
	총 비트생산 (EB)	2.95	3.24	3.65	3.69	3.69	3.91	4.09	4.15
	비트당 단가 ($/Gb)	0.35	0.34	0.39	0.56	1.17	1.78	1.94	1.95
	매출 (조원)	11.8	12.3	15.6	24.0	50.8	82.9	93.3	93.7
	영업비용 (조원)	9.0	10.1	10.5	10.6	10.8	16.7	15.3	15.3
	영업이익 (조원)	2.8	2.3	5.1	13.4	40.0	66.1	78.0	78.3
	영업이익률 (%)	23.8	18.6	32.7	55.7	78.7	79.8	83.6	83.6
HBM	웨이퍼 투입 (K장/월)	140	148	155	158	165	175	185	195
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	1,429	2,027	3,226	3,797	4,444	4,952	5,766	6,838
	총 비트생산 (EB)	0.07	0.11	0.19	0.23	0.28	0.33	0.40	0.50
	비트당 단가 ($/Gb)	1.56	1.47	1.47	1.46	1.35	1.42	1.70	1.95
	매출 (조원)	1.4	1.9	3.1	3.8	4.4	5.5	8.0	11.3
	영업비용 (조원)	0.5	0.6	1.1	1.4	2.1	2.8	4.0	5.7
	영업이익 (조원)	0.9	1.2	2.0	2.4	2.3	2.8	4.0	5.7
	영업이익률 (%)	65.0	65.0	65.0	64.0	52.0	50.0	50.0	50.0
NAND	웨이퍼 투입 (K장/월)	450	410	401	400	375	365	340	310
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	46,963	58,862	68,246	73,833	85,867	90,776	104,216	118,280
	총 비트생산 (EB=십억GB)	63.40	72.40	82.10	88.60	96.60	99.40	106.30	110.00
	비트당 단가 ($/GB)	0.06	0.07	0.07	0.07	0.14	0.23	0.26	0.27
	매출 (조원)	5.9	7.0	8.0	9.4	19.7	34.5	40.8	43.4
	영업비용 (조원)	6.7	7.6	7.3	6.8	7.5	13.2	10.8	12.0
	영업이익 (조원)	-0.8	-0.6	0.7	2.6	12.2	21.3	30.0	31.4
	영업이익률 (%)	-13.6	-8.6	8.8	27.7	61.9	61.7	73.5	72.4
메모리 합계	매출 / 영업이익 (조원)	19 / 3	21 / 3	27 / 8	37 / 18	75 / 54	123 / 90	142 / 112	148 / 115

삼성전자 포인트: ① 2026E 메모리 영업이익 377조원(전사 383조 컨센 중 98%) — 25년 32조의 12배. ② 일반 DRAM이 이익의 65% 이상 — HBM 점유율 열세가 범용 가격 폭등 국면에서 오히려 유리하게 작용 (2Q26 HBM4 조기 상용화로 반격 병행). ③ NAND는 25년 적자 접전에서 26년 OPM 68%로 극적 반전 — V9 전환·웨이퍼 축소(450→310K)에도 가격이 이익을 견인. ④ P4·P5 증설로 웨이퍼 27년 800K 도달 — 27년 비트 +15% 성장의 기반.

08SK하이닉스

SK하이닉스 — 메모리 수익모델

연간 (2024~2027E)

구분	지표	2024	2025	2026E	2027E
일반 DRAM	웨이퍼 투입 (K장/월)	296	373	390	450
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	19,707	18,208	19,444	20,185
	총 비트생산 (EB)	8.75	10.19	11.38	13.62
	비트당 단가 ($/Gb)	0.33	0.39	1.58	2.06
	매출 (조원)	31.5	45.8	211.3	322.1
	영업비용 (조원)	18.7	19.8	29.4	48.7
	영업이익 (조원)	12.8	26.0	181.8	273.4
	영업이익률 (%)	40.5	56.8	86.1	84.9
HBM	웨이퍼 투입 (K장/월)	120	150	200	240
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	4,236	6,556	8,333	8,333
	총 비트생산 (EB)	0.76	1.48	2.50	3.00
	비트당 단가 ($/Gb)	1.66	1.76	1.85	2.20
	매출 (조원)	13.7	29.5	54.3	75.8
	영업비용 (조원)	5.5	10.3	27.2	34.1
	영업이익 (조원)	8.2	19.2	27.2	41.7
	영업이익률 (%)	60.0	65.0	50.0	55.0
NAND	웨이퍼 투입 (K장/월)	144	145	139	150
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	106,655	114,770	143,885	155,556
	총 비트생산 (EB=십억GB)	184.30	199.70	240.00	280.00
	비트당 단가 ($/GB)	0.08	0.07	0.24	0.28
	매출 (조원)	19.1	20.4	82.9	113.5
	영업비용 (조원)	16.5	18.2	24.9	30.0
	영업이익 (조원)	2.6	2.2	58.0	83.5
	영업이익률 (%)	13.6	10.8	70.0	73.6
메모리 합계	매출 / 영업이익 (조원)	64 / 24	96 / 47	348 / 267	511 / 399

분기 (1Q25~4Q26E)

구분	지표	25.1Q	25.2Q	25.3Q	25.4Q	26.1Q	26.2QP	26.3QE	26.4QE
일반 DRAM	웨이퍼 투입 (K장/월)	360	367	375	387	390	395	395	395
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	15,185	18,710	19,644	19,208	18,120	19,072	19,916	20,338
	총 비트생산 (EB)	2.05	2.58	2.76	2.79	2.65	2.82	2.95	3.01
	비트당 단가 ($/Gb)	0.32	0.34	0.36	0.53	1.00	1.53	1.74	1.86
	매출 (조원)	7.7	9.7	11.2	17.1	31.0	51.5	60.3	64.8
	영업비용 (조원)	4.5	5.1	5.0	5.1	4.8	6.9	7.4	6.9
	영업이익 (조원)	3.2	4.6	6.1	12.0	26.2	44.6	52.8	58.0
	영업이익률 (%)	42.1	47.3	55.0	70.1	84.5	86.6	87.6	89.4
HBM	웨이퍼 투입 (K장/월)	140	148	155	158	175	190	205	215
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	6,190	6,532	6,882	6,751	8,000	8,421	8,455	8,992
	총 비트생산 (EB)	0.33	0.36	0.40	0.40	0.53	0.60	0.65	0.72
	비트당 단가 ($/Gb)	1.70	1.83	1.79	1.74	1.62	1.70	1.95	2.10
	매출 (조원)	6.4	7.4	7.9	8.0	10.0	12.2	14.9	17.7
	영업비용 (조원)	2.2	2.6	2.8	2.9	4.8	6.1	7.5	8.8
	영업이익 (조원)	4.2	4.8	5.2	5.1	5.2	6.1	7.5	8.8
	영업이익률 (%)	65.0	65.0	65.0	64.0	52.0	50.0	50.0	50.0
NAND	웨이퍼 투입 (K장/월)	145	145	145	145	140	140	140	135
	웨이퍼당 비트 (Gb/장)	105,977	127,356	114,713	120,460	112,143	129,762	136,667	147,407
	총 비트생산 (EB=십억GB)	46.10	55.40	49.90	52.40	47.10	54.50	57.40	59.70
	비트당 단가 ($/GB)	0.05	0.06	0.07	0.10	0.16	0.25	0.29	0.31
	매출 (조원)	3.2	4.7	4.9	7.6	11.3	20.4	24.6	26.5
	영업비용 (조원)	3.2	4.9	4.8	5.5	5.0	6.7	7.2	7.9
	영업이익 (조원)	0.0	-0.2	0.1	2.1	6.3	13.7	17.4	18.6
	영업이익률 (%)	0.0	-4.3	2.0	27.6	55.8	67.2	70.7	70.2
메모리 합계	매출 / 영업이익 (조원)	17 / 7	22 / 9	24 / 11	33 / 19	52 / 38	84 / 64	100 / 78	109 / 85

SK하이닉스 포인트: ① 2026E 영업이익 267조원(컨센 273조) — OPM 77%, 글로벌 제조업 사상 최고 수준. ② HBM 1위(점유 56%)지만 26년 이익 기여는 ~25조(9%) — 이번 사이클의 주인공은 일반 DRAM(OPM 86%). 단, HBM은 LTA로 27년까지 완판 + HBM4 가격 "대폭 인상" 협상 중(IBK) → 27년 재부상. ③ 1Q26 NAND 비트 -10% QoQ에도 ASP +77%로 매출 성장 — 전형적 가격 주도 사이클. ④ 리스크: KB(7/15)가 유일하게 추정 하향(-11%) — "HBM 비중이 높을수록 범용 폭등 수혜가 희석"되는 역설.

09종합

종합 — 모델이 말하는 것

사이클의 성격: 물량(비트 +20~24%)이 아닌 가격(DRAM ASP 26E +167~305%)이 만든 슈퍼사이클. LTA(3~5년 장기계약+가격 하한)가 과거 사이클과의 구조적 차이.
일반 DRAM ↔ HBM 역전: 26년 일반 DRAM OPM 81~86% vs HBM ~50%. HBM 캐파 전용(트레이드비 3~4.5x)이 범용 공급을 조여 범용 가격을 밀어올린 결과, HBM 우위였던 25년과 공수 교대. 27년 HBM4 재협상으로 재역전 가능성.
분기 방향: 3Q26까지 상승 컨센서스 견고(가격 +13~18%). 분수령은 4Q26 — 키움 하락 전환(-5%) vs 신한 +15% vs 삼성증권 +8%. 본 모델은 중간치 채택, 4Q26에도 증익 지속.
zephyr 모델과의 연결: 그의 2030 공급 128.8EB 경로는 국내 데이터와 정합. 단 수요 157.5EB는 최상단 가정 — 국내 증권사 수요 B/G(+14~25%)로는 2030년 120~140EB. 어느 쪽이든 27년까지는 공급부족이 수치적으로 불가피(신규 팹 양산 기여가 빨라야 2H27).
마이크론 벤치마크: FY4Q26 가이던스 GM 86%는 국내 2사 26년 하반기 추정(메모리 OPM 75~80%)의 방향을 지지. SCA 16건·선수금 $22B는 LTA 구조 정착의 증거.

방법론 · 환산 · 출처

환산: 1 EB = 10⁹ GB = 8×10⁹ Gb. v2 추가 구성: HBM 비트(TrendForce FMS 2025 Ellie Wang 덱 실측 2022~26 + Castellano 2027 + 외삽 2028~30), WPM(TrendForce FMS 2024/2025 덱 페이지 단위 판독 — Wayback 경유, SemiAnalysis CXMT 딥다이브 증설표, SEMI/TechInsights 대조), 2027~30 성장률(골드만·UBS·SemiAnalysis·마이크론 가이던스 합성). 기존 v1 구성(ICE 1973~96 실측 등)은 동일.

v2 추가 핵심 소스

v3 추가 소스 (WPM 역사·생산성)

v1 핵심 소스 (유지)

수익모델 데이터 소스

기업 추정 키움(7/8 삼성 잠정리뷰·6/1 하반기전망), 신한(6/30 삼성·하이닉스), 메리츠(7/6 삼성), KB(7/15 하이닉스), IBK(7/2 하이닉스·2/11 마이크론), 상상인(7/3 하이닉스·6/25 마이크론), 하나(6/22 위클리), 미래에셋(3/23 HBM 분해), 삼성증권(6/2 듀레이션 게임 — 27년 분기)
산업 신영(5/26 HBM5 심층 74p), iM(월간반도체 24/9·25/10), 유진(Memory Watch 25/12·26/6), NH(5/26), SK(5월 소부장), 한투(25/9 글로벌), IBK(25/12 DRAM Monthly)
실측 DART 확정실적(~1Q26), 삼성 2Q26 잠정(7/7), 마이크론 FY2Q·3Q26 10-Q, TrendForce 분기 계약가·WPM, DRAMeXchange 현물가
수급모델 @zephyr_z9 X 아티클(2026-07-13, SemiWiki 전재로 복원)
※ 리포트 원문: 로컬 리포트 검색기(:8790) · 본 모델 산출 스크립트: C:\claude\2026-07-17_dram-model\model.py

본 자료는 공개 증권사 리포트·공시·시장데이터를 종합한 개인 연구용 추정 모델로, 투자 권유가 아닙니다. HBM 분리 손익은 회사 미공시 항목으로 오차가 클 수 있습니다. fiscal·kr / report·search 파이프라인으로 생성.